钌基底锡污染清洗方法

气体吹扫实现零残留

通过气体吹扫协同表面吹拂与增强活性粒子，打破再沉积平衡，首次实现锡污染完全清除。

Wang, Sishu · 叶宗标 · Wu, Andong · 高涛 · 韦建军 · Gou, Fujun

Journal of Alloys and Compounds 2025

参数信息

表面Sn去除速率

6 nm/h

常规清洗残留Sn比例

0.35 %

气体吹扫法残留Sn比例

~0 %

Ru基底上Sn吸附能

-1.07 eV

技术优势

零残留

气体吹扫法通过表面吹拂与增强活性粒子的协同作用，完全打破再沉积平衡，将残留Sn比例从~0.35%降至检出限以下。

机理清晰

DFT计算揭示Sn吸附能在Ru和Si上的差异催化了SnH₄的生成与再沉积，明确了污染残留的根源及解决方案。

无需换基底

在催化性Ru基底上直接实现完全清洗，不必改用非催化基底，兼容现有设备与工艺。

应用场景

• 等离子体清洗工艺：将气体吹扫模块集成至现有等离子体清洗机，提升Sn污染清洗终点。
• 半导体基底处理：消除EUV光刻中Sn污染对Ru基底的交叉沾染。
• 微流体通道清洗：清洗微通道内Sn残留时打破再沉积平衡。
• 光学元件维护：完全去除反射镜上的Sn污染，恢复反射率。