全范德华堆叠FeFET
以二维In2Se3替代体相铁电栅层，结合h-BN与MoS2构成全范德华堆叠，实现非易失沟道电导调谐，为高密度存储提供直接方案。
Wang, Xiaojie · Zeyang, Feng · Jingwei, Cai · 童浩 · 缪向水
Science China Information Sciences 2023
脉冲响应测量表明，通过合理的脉冲设计可实现沟道电导的非易失调谐，为存储器提供直接的工作机制。