击穿电压提升四倍
在源漏两侧引入阶梯栅介质结构，通过降低源漏间电场将击穿电压提高至80V，而导通电阻仅增加20%。
Zhu, Hong · Qian, Yi · Yan, Yu · Chen, Lijian · Quanhua, Chen · 孙华斌 · Xu, Yong
Polymers 2025
阶梯栅介质结构降低了源漏间电场，使击穿电压从19 V提高到80 V，显著拓宽了器件的工作电压范围。
尽管引入了50 μm的阶梯栅区域，导通电阻仅增加20%，在提高击穿电压的同时几乎不牺牲导通性能。
阶梯区域引入的附加电阻为2.5 × 10⁴ Ω/μm，便于电路设计者精确评估其对性能的影响。
TCAD仿真证实了电场降低是击穿电压提升的原因，为该结构在其他材料体系中推广提供了理论依据。