p-GaN栅HEMT

辐照后漏电机制稳定

该晶体管在伽马辐照后，反向偏压下栅极漏电机制仍为陷阱辅助隧穿，说明其对辐照环境的耐受性较好，适合用于辐射环境中的功率电子。

Danmei, Lin · 郑雪峰 · Yue, Shaozhong · Wang, Xiaohu · Hao, Zhang · Rui, Han · Zhu, Tian · 吕玲 · Wang, Yingzhe · Tan, Wang · 马晓华 · 74227950

Applied Physics Letters 2025

参数信息

陷阱能级

0.93 eV

击穿电压

650 V

栅极应力偏压

7 V

技术优势

反向漏电机制稳定

在反向偏压下，辐照前后漏电机制始终为陷阱辅助隧穿，表明辐照未引入新的反向漏电路径。

正向漏电机制明确

正向偏压下，辐照后主导传导机制由Poole-Frenkel发射转变为陷阱辅助隧穿，归因于辐照引入的EV+0.93 eV空穴陷阱。

应用场景

• 辐射环境功率电子：提供辐照下栅漏电机制数据，支撑耐辐射器件设计。
• 航天器电源系统：评估空间辐射对GaN功率器件栅可靠性的影响。
• 高压器件可靠性测试：解析高压器件在辐照后的漏电退化和陷阱行为。