复合成型阻变存储芯片

高温下保持率近零漂移

通过复合成型策略抑制高阻态漂移，使存储单元无需定期刷新即可在高温下长期保持推理精度。

Zuo, Qingyun · Zheng, Xu · Zhao, Yudi · Wubo, Li · Liu, Yixuan · Wu, Qiqiao · Yifei, Lu · Yuhang, Zhao · Zhang, Wenchang · 许晓欣 · 闵昊 · 刘琦

IEEE Electron Device Letters 2025

参数信息

高阻态漂移概率

5 %

推理精度

88 %

技术优势

漂移概率降一个量级

通过复合成型策略抑制高阻态漂移，HRS漂移概率降至5%，相比常规方案显著降低。

高温下免刷新保持精度

无需周期性刷新单元，在125°C下经历10⁵秒后推理精度仍为88%，避免了刷新带来的计算中断。

应用场景

• 存算一体芯片：直接集成到存算一体芯片中，省去周期性刷新，提升长期推理稳定性。
• 边缘AI推理：在高温边缘设备上保持模型精度，避免因单元漂移导致推理结果退化。
• 高可靠性存储：降低高阻态漂移概率，满足长期数据保持的高可靠性存储需求。
• 高温电子系统：在125°C下工作10⁵秒后仍保持精度，适用于高温电子系统中的存储单元。