氮化硅TE通偏振器

低损耗高消光

面向集成光纤陀螺仪，可与薄膜铌酸锂调制器直接端面耦合构成混合调制器，替代传统体铌酸锂调制器以提升光纤线圈接收功率并避免残余强度调制。

Zhiyu, Guo · 宋凝芳 · Kong, Linghai · 金靖 · 张祖琛

IEEE Photonics Journal 2024

参数信息

插入损耗

<1.02 dB

偏振消光比

>47 dB

技术优势

消光比够高

偏振消光比超过 47 dB，可有效抑制非期望偏振态，降低陀螺仪中的偏振交叉耦合噪声。

规避残余强度调制

采用混合调制器结构后，理论上不再产生体铌酸锂调制器中的残余强度调制效应，消除了其对陀螺仪性能的干扰。

应用场景

• 集成光纤陀螺仪：替代体铌酸锂调制器，提升光功率并消除残余强度调制。
• 硅光集成：以氮化硅工艺实现与薄膜铌酸锂调制器的低损耗混合集成。
• 片上偏振控制：在850 nm提供超过47 dB的片上偏振选择。
• 惯性导航：提高陀螺仪进入线圈的光功率，直接改善角速度测量精度。
• 光学传感：为光纤陀螺等光学传感器提供低损耗偏振滤波元件。