Cr/C膜上镍电沉积层

晶粒细密应力低

在Cr/C多层膜上瞬时成核的镍沉积层,比W/Si上更稳定均匀,适合高精度光学制造。

陈海翔 · 王昆 · Xue, Yuntian · Wang, Zhanshanb Shan

Journal of Physics D: Applied Physics 2024

参数信息

拉应力
119.5 MPa

技术优势

晶粒更细

瞬时成核模式避免了渐进成核中晶粒异常长大,从而获得细晶结构。

应力更低

Cr/C上的沉积层应力远小于W/Si上的119.5 MPa拉应力,利于光学器件结构稳定。

反应更稳

Cr/C上析氢副反应较轻,还原阻力更低,电化学过程更稳定。

应用场景