NMOS无输出电容LDO

纳秒级瞬态恢复

面向纳秒级负载突变场景,提出事件驱动电荷泵配合动态强度控制,在超低功耗下实现快速瞬态响应,突破传统结构的速度-功耗折衷。

Yiling, Xie · Baochuang, Wang · 陈弟虎 · 郭建平

Journal of Semiconductors 2024

参数信息

静态电流
410 nA
恢复时间
30 ns

技术优势

大信号下不会振荡

动态强度控制解决了事件驱动电荷泵结构此前被忽视的大信号稳定性问题,确保在200 mA/10 ns负载突变下仍能稳定工作,不会出现不稳定或振荡。

不用大电容也能快速响应

输出端无需外接大电容即可在30 ns内恢复,有利于片上集成和减小面积,同时电荷泵仅在负载事件时激活,静态功耗极低。

待机几乎不耗电

实测静态电流仅410 nA,适合对功耗敏感的移动和物联网设备,延长电池寿命。

应用场景