自旋阻挫磁电晶体

Chandrasekhar Kakarla, D.; Yuan-Han, Ku; Wu, Hungcheng; Chia-Chi, Chen; Meng-Yu, Hsu; Hu T.R.; Lin, Jiunnyuan; Nidhi, Puri; Hsieh M.-J.; Wang, Chin Wei; Li, Wen Hsien; Dhanasekhar, C; Tiwari, Ajay; Lu C.H.; You K.J.; Kuo, T. W.; Fan K.J.; Chang, Yen Cheng; Yang, Hung Duen

自旋阻挫磁电晶体

强磁电耦合

Cu7O2(SeO3)2Cl6晶体以共角四面体自旋阻挫晶格实现强磁电耦合。

Chandrasekhar Kakarla, D. · Yuan-Han, Ku · Wu, Hungcheng · Chia-Chi, Chen · Meng-Yu, Hsu · Hu T.R. · Lin, Jiunnyuan · Nidhi, Puri · Hsieh M.-J. · Wang, Chin Wei · Li, Wen Hsien · Dhanasekhar, C · Tiwari, Ajay · Lu C.H. · You K.J. · Kuo, T. W. · Fan K.J. · Chang, Yen Cheng · Yang, Hung Duen

Materials Today Physics 2024

参数信息

反铁磁转变温度: 11 K

技术优势

存在强磁电耦合

比热和介电异常与11 K处的倾斜反铁磁序一致，表明磁性和电性之间存在强耦合。

磁电退火增强耦合

磁电退火后磁介电行为发生系统性变化，表明磁畴和电畴之间的耦合具有韧性。

应用场景

多铁性材料：提供新的自旋阻挫多铁性材料，用于研究磁电耦合机制。
量子磁性器件：其低维自旋阻挫晶格可用于探索量子磁性现象。
精密磁场传感器：强磁电耦合使其有望用于精密磁场传感。