InSe集成硅波导自相关器

峰值功率低两个量级

该器件把InSe的强二阶非线性与硅纳米光子结构的增强光-物质相互作用结合，可在集成光子芯片上实现超快光脉冲测量。

张宇 · 陈小青 · Zhang, Mingwen · Fang-fang, Wang · Ji, Yingke · Wang, Jianguo · 方亮 · 张颜艳 · 姜碧强 · Ge, Jinman · Hu W. · 赵建林 · 甘雪涛

Nano Letters 2025

参数信息

工作峰值功率
11 mW
灵敏度
2.4 10⁻⁸ W²

技术优势

峰值功率大幅降低

得益于 InSe 的大二阶非线性系数和硅纳米光子结构增强的光-物质相互作用，器件可在低至 11 mW 的峰值功率下工作。

无需复杂设备

通过将 SHG 信号的空间强度分布映射到时间域，即可表征脉冲时域波形，无需使用传统的大型测量装置。

应用场景