FAPbBr₃单晶薄膜

面积厚度比创纪录

提出梯度加热成核与室温生长策略，实现原位生长的高面积厚度比、低陷阱密度钙钛矿单晶薄膜，可直接沉积在传输层上用于高性能光电器件。

Wang, Zhaojin · Shan, Chengwei · 刘晨曦 · Tang, Xiaobing · Luo, Dengfeng · Tang, Haodong · Zhulu, Song · Wang, Jiawei · 任振伟 · Ma, Jingrui · Wang, Haoran · Sun, Jiayun · Zhang, Nan · Choy, Wallace C. H. · 刘言军 · Kyaw, Aung Ko · 孙小伟 · 吴丹 · 王恺

Cell Reports Physical Science 2023

参数信息

面积厚度比

1.84 × 10⁵ mm

陷阱密度

3.76 × 10⁸ cm⁻³

技术优势

原位直接生长

薄膜直接生长在传输层上，无需后续转移，避免剥离过程引入的损伤和界面污染，可直接集成到器件结构中。

工艺通用性强

该方法不仅适用于 FAPbBr₃，还能在多种传输层上原位生长其他种类的钙钛矿单晶薄膜，为不同器件结构提供通用制备途径。

应用场景

• 钙钛矿光电器件：提供高质量单晶活性层，减少缺陷复合，提高器件效率和稳定性。
• 钙钛矿太阳能电池：原位生长的单晶薄膜可减少晶界缺陷，降低非辐射复合，提升电池开路电压和填充因子。
• 钙钛矿LED：低陷阱密度和高质量界面有利于提高发光量子效率，实现高效稳定的电致发光。