暗电流骤降 8 倍
用 p 型/本征/n 型/p 型结构替代传统金属-半导体-金属结构，在保持高能质子探测能力的同时，将探测器的工作稳定性推进到长期偏压可用的水平。
Yunping, Qiu · Zhang, Yulian · 陈金宝 · 刘友文 · 王新
ACS Applied Materials & Interfaces 2026
PINP结构将200 V偏压下的暗电流密度从698.2 nA cm⁻²降至86.6 nA cm⁻²，从而降低噪声、提高信噪比。
在150 V偏压的质子计数模式下，噪声水平仅为487±50个电子，使微弱质子信号可被分辨。
凭借低噪声和长期稳定性，该二极管实现了对60 MeV和20 MeV质子的计数探测，覆盖高能质子谱学需求。