氧化铝掺杂ITO薄膜

1200°C 下电阻漂移近零

一种微结构工程策略，通过原子级集成高熔点氧化物纳米相，使ITO薄膜在1200°C极端环境下实现创纪录的低电阻漂移，为高温薄膜传感器提供稳定材料平台。

张涛 · 马炳和 · Yilin, Fan · 罗键 · 邓进军 · Zhang, Xingxu · Ye, Tao

Small 2025

参数信息

电阻漂移率

0.002 % h⁻¹

Al/In重量比

1.57 wt.%

技术优势

阻漂近零

在1200°C下10 h电阻漂移率仅0.002% h⁻¹，创纪录的低漂移使传感器无需频繁校准。

工艺兼容

通过标准MEMS技术即可实现Al₂O₃在ITO中的原子级掺杂，无需专用设备或复杂工艺。

应用场景

• 高温传感器：无需额外保护层即可在1200°C下稳定测量温度或应变。
• MEMS传感器：用标准工艺做出耐高温的MEMS电阻元件，降低批量生产成本。
• 极端环境监测：在航天发动机或反应堆等超1000°C场景中保持长期信号稳定。