多层界面源漏电极

阻断MoO₃扩散

在MoO₃界面修饰层与有机半导体之间引入有机缓冲层,从根源上阻断MoO₃扩散,同时保留其降低接触电阻和抑制少数载流子注入的功能,显著提升器件开关稳定性。

Yang, Zhenxin · Guo, Chunhua · Qin, Lingping · 胡涛 · Zheng, Liang · 丁怀义 · Wang, Ke · Zhang, Tao · 朱强 · Lu, Zhenghong

ACS Applied Materials & Interfaces 2023

技术优势

扩散被阻断

在金属与有机半导体之间加入有机缓冲层,物理隔离了MoO₃与有机材料的直接接触,阻止MoO₃扩散进入沟道。

开关更稳

阻断扩散后,器件偏压应力下的稳定性提升,载流子俘获时间延长,开关行为不易劣化。

功能不牺牲

即使加入缓冲层,MoO₃界面层仍能降低接触电阻并抑制少数载流子注入,接触性能不受影响。

应用场景