噻吩掺杂COF薄膜

高结晶p型掺杂

通过共价掺杂噻吩单元，在高度取向的COF薄膜中实现p型掺杂，带隙减小且功函数增加，同时保持长程有序。

Page, Martin A. · 姚尧 · Rao, Rahul · Martin, Kara L. · Mahalingam, Krishnamurthy · Hampton, Cheri M. · Ludwick, Jonathan · Austin, Drake R. · Tran, Ly D. · Woll, Arthur R. · Drummy, Lawrence F. · Roy, Ajit K. · Marks, Tobin J. · Facchetti, Antonio · Back, Tyson C. · Koerner, Hilmar · Baldwin, Luke A. · Glavin, Nicholas R.

ACS Nano 2025

参数信息

噻吩掺杂比例
20 %

技术优势

保持长程有序

掺入高达20%噻吩连接体时，对长程晶体有序性的破坏极小，避免因无序导致载流子迁移率下降。

实现p型掺杂

共价掺杂的噻吩单元表现出与传统半导体中p型掺杂剂相似的作用：降低价带顶，并提高功函数。

增强共轭

共价掺杂的噻吩单元通过提升框架的结晶性增加π共轭，改善电子离域，有利于电荷传输。

应用场景