p型Mg₃Sb₂基热电材料

协同优化功率因子与热导率

通过YbZn₂Sb₂固溶与熵工程,同步提升电输运并抑制热输运,使p型Mg₃Sb₂的zT突破1.3

Xiong, Zhang · Haoling, Luo · Cao, Xiaoliang · 韩广 · 吴宏 · Yu, Zhang · Zhang, Bin · 王国玉 · 周小元

Acta Materialia 2025

具体参数

功率因子
{'zh': '1.03', 'en': '1.03'} mW m⁻¹ K⁻²
热电优值(峰值)
{'zh': '~1.34', 'en': '~1.34'}
平均热电优值
{'zh': '~0.77', 'en': '~0.77'}
晶格热导率(323 K)
{'zh': '56', 'en': '56'} %

技术优势

功率因子突破1.0

通过YbZn₂Sb₂固溶降低晶体场分裂能,同时提高载流子浓度与迁移率,使功率因子大幅提升至1.03 mW m⁻¹ K⁻²,远超此前p型Mg₃Sb₂的水平。

晶格热导率降一半多

熵工程Cd合金化在(Mg₃.₁Sb₂)₀.₅(YbZn₂Sb₂)₀.₅基础上,将323 K晶格热导率再降23%,较母体Mg₃.₁Sb₂累计降低56%,源于高熵效应增强声子散射。

zT值达1.34

结合Ag掺杂优化空穴浓度,最终在773 K获得~1.34的峰值zT,323–773 K平均zT约0.77,为p型Mg₃Sb₂基材料中最高水平。

应用场景