反铁磁自旋相变存储器件

室温电阻调制大百倍

利用相界成分的Mn-Ir合金薄膜,通过压电应变可逆切换自旋结构,实现非易失室温电阻调制,幅度比各向异性磁阻效应高两个数量级。

Yan, Han · Mao, Hongye · Qin, Peixin · Wang, Jinhua · Liang, Haidong · Zhou, Xiaorong · Wang, Xiaoning · Chen, Hongyu · Meng, Ziang · Li, Liu · Guojian, Zhao · Zhiyuan, Duan · 朱增伟 · Fang, Bin · 曾中明 · Bettiol, Andrew Anthony · Zhang, Qinghua · Tang P. · 蒋成保 · 刘知琪

Nature Communications 2024

具体参数

磁场高
60 T

技术优势

室温下电阻调制幅度比金属各向异性磁阻效应高两个数量级

非易失性存储

优异的时间和温度稳定性