粗糙度降至0.8 nm
超声辅助剪切增稠抛光方法，实现了对4H-SiC晶体高效且超光滑的表面加工。
Baochen, Sun · 王紫瑄 · Yang, Zhao · Qingchun, Zhang · Zhikang, Wang · Qi, Liu · Jiawen, Lv · Tianbiao, Yu · Ji, Zhao · 赵军
Tribology International 2025
建立的预测模型与实验吻合良好，材料去除深度最大误差仅4.12%，线性进给抛光预测误差均小于15%，便于工艺参数优化。
在优化工艺条件下，4H-SiC表面粗糙度从31.58 nm降至0.799 nm，实现了超光滑表面，有利于提升器件性能。
超声振动与剪切增稠效应的协同作用提高了材料去除效率，突破了单一抛光方法的限制。