AlGaN/GaN肖特基二极管

退火后界面态密度降至1.6×10¹³

通过阳极后退火处理，平面型和凹槽阳极型器件的界面态密度显著降低，漏电流减小，导通电阻降低，理想因子优化，器件稳定性增强。

Yan, Ren · Chao, Pang · Zhang, Baijun · 刘红辉 · Ni, Yiqiang · Shengze, Zhou

Micro and Nanostructures 2025

具体参数

界面态密度被抑制

1.6 × 10¹³ eV⁻¹cm⁻²

界面态密度被抑制

3.9 × 10¹⁴ eV⁻¹cm⁻²

技术优势

退火后漏电流减小，理想因子优化，导通电阻降低