析氧过电位仅227 mV
利用缺陷位点原子级铈修饰，通过电子耦合激活氧化还原对，优化中间体吸附，实现碱性介质中超低过电位和长时耐用性
Yangchun, Guo · Tingting, Wei · 郝晓东 · Zhao, Xuan · Zhen-Hong, He · Hu, Zhuangzhuang · Ma, Shufang · Liu, Xiaoxu · 许并社 · ORecord 科技单元
ACS Applied Materials & Interfaces 2026
Ce单原子占据Co空位后，优化了含氧中间体吸附，并将速率决定步骤的能垒从无Ce时的2.09 eV降至1.81 eV，从而大幅降低过电位。
在10 mA·cm⁻²恒电流测试中，电位在50小时内保持稳定，无明显上升，归因于Ce原子在缺陷位点的牢固锚定。
Ce引入后电荷转移电阻显著降低，电化学活性面积增大，表明电子传输和传质动力学得到改善。