拓扑霍尔效应强
该合金在简单面心立方结构中通过强自旋阻挫产生非零自旋手性，在宽温域与磁场范围内表现出拓扑霍尔效应。
Yu, Jihao · Liu, Yuying · 柯于斌 · Su, Jiaqi · Li, Zian · 孙保安 · 白海洋 · 王炜华
Advanced Materials 2024
拓扑霍尔效应在宽温度和磁场范围内均可观察到，无需狭窄工作区间，提升了器件设计的宽容度。
不需要复杂的非中心对称晶格或特殊的三角排列，普通面心立方结构即可产生拓扑霍尔效应，简化了材料制备。
拓扑霍尔效应源于强自旋阻挫产生的非零自旋手性，而非传统斯格明子或几何阻挫，为通过阻挫调控提供了新途径。