单层1T-NbSe₂条纹相

准一维近藤晶格

通过Se缺陷线驱动，在单层NbSe₂中实现准一维近藤晶格行为，Fano共振在整个薄膜上持续存在，且仅在条纹方向上呈现相干近藤屏蔽。

Liu, Zhen · Jin, Heng · Zhang, Yao · 范凯 · Guo, Ting · Qin, Hao · 朱兰 · Yang, Lian · 张文号 · Huang, Bing · 付英双

Nature Communications 2024

技术优势

在整个薄膜上存在Fano共振

高近藤温度

仅在条纹方向上发生相干近藤屏蔽