双层IZO/IYZO薄膜晶体管

高迁移率低偏压低偏压应力

通过钇掺杂IZO层构成双层结构，在提升载流子迁移率的同时利用势垒调控阈值电压和载流子浓度，实现高电学性能与稳定性兼备的氧化物TFT。

Xiaocheng, Ma · Abliz, Ablat · Wan, Da · Wang, Jingli · 李国立 · 刘兴强

Applied Physics Letters 2025

具体参数

Vth

0.2 V

FE

32.6 cm²/V·s

shifts of V

0.8 V

势垒高度

0.38 eV