BHO纳米晶YBCO带材

磁场载流倍增

多步膜生长策略让BHO纳米晶在YBCO厚膜中实现更优的磁通钉扎,磁场下临界电流大幅提升。

Huang, Rongtie · Chen, Jing · 刘智勇 · Gang, Wang · 蔡传兵

Advanced Functional Materials 2024

具体参数

Ic at K
3 T
临界电流提升幅度
180 %
层增厚
2.3 µm
纳米晶尺寸从
6.2 nm