Au/i-AlN/n-GaN紫外LED

高纯紫外发射

利用金属-绝缘体-半导体结构突破传统pn结局限，实现无p型材料的GaN基纯紫外发射。

赵洋 · Zhang, Jiahui · Chengle, Song · Xiang, Guojiao · Chenfei, Jiao · Meibo, Xin · Fujing, Dong · Zhikang, Huang · Mingkun, Wang · 王辉

Journal of Alloys and Compounds 2025

技术优势

高纯度紫外发射

最低开启电压（沉积时间40 min时）

40℃以上因热效应发射衰减