Zr-rich铪基铁电薄膜

高耐久铁电存储

通过原子层堆叠策略拓宽Zr-rich HfO2-ZrO2薄膜的铁电相稳定窗口，使传统上不利于铁电性的富锆组分也能实现稳定的正交相铁电性，为高耐久铪基铁电存储器提供材料方案。

Tianrui, Yu · Chenyong, Xu · Xie, Yufang · Zheng, Dongfeng · Yuzhu, Xiao · Zhang, Chenglin · 刘媛 · 梁凌燕 · 赵建文 · 曹大威

Journal of Materials Science and Technology 2027

参数信息

剩余极化
52.1 μC/cm2
保持时间
10 years

技术优势

拓宽铁电成分窗口

通过原子层堆叠工程调控应变，在传统上不利于铁电性的富锆组分中实现了稳定的铁电性，突破了单纯依赖化学成分的限制。

预估10年数据保持

该薄膜展现出预估10年的数据保持时间，表明在非易失性存储应用中具有良好的长期稳定性。

应用场景