Mo掺杂VO₂薄膜

室温忆阻开关

通过钼掺杂在室温下实现稳定阈值与忆阻特性,适用于高性能选通器件。

Lin, Wang · Li, Chen · Xu, Xionghu · Hou, Zhangchen · Yafang, Li · Shang, Liyan · Zhang, Jinzhong · Zhu, Liangqing · Li, Yawei · 曹菲 · Genshui, Wang · 褚君浩 · Hu, Zhigao

Applied Physics Reviews 2025

具体参数

阈值电压
2.37 V
Stable
>1000 cycles

技术优势

相变温度降低至55.8 °C

滞后窗口拓宽至13.6 °C