Sb直接掺杂p型Bi₂Te₃热电材料

宽温域高平均ZT

通过直接Sb掺杂在Bi₂Te₃中引入反位缺陷和增强声子散射，同时优化电输运和降低热导率，实现了宽300–500 K温域内的高平均热电优值。

Xicheng, Guan · 刘志愿 · Ma, Ni · 栗周 · 刘娟 · 张慧燕 · 李海玲 · Qian, Ba · Junjie, Ma · Jin, Chuangui · 夏爱林

Acta Metallurgica Sinica (English Letters) 2024

具体参数

最大热电优值 ZT
{'zh': '1.04', 'en': '1.04'}
平均热电优值 ZT
{'zh': '0.93', 'en': '0.93'}

技术优势

高平均ZT宽温域

增加Sb含量削弱双极效应，使最佳ZT温区拓宽至300–500 K，平均ZT达0.93。

反位缺陷优化电输运

Sb替位Bi产生Sb′Te反位缺陷，增加空穴浓度，优化电导率和塞贝克系数。

多尺度声子散射降热导

质量/应力波动点缺陷与Sb杂质协同增强声子散射，降低晶格热导率。

应用场景