10–280 K 稳定工作
外延生长的Bi-2212超导薄膜与NSTO衬底形成原子级平整的共格界面，实现了基于氧空位迁移的界面型阻变行为，在超宽温度范围内保持稳定，为低温电子学应用提供了新选择。
Wu, Meilin · Tao, Zhang · Hongmin, Xue · Zhilong, Deng · Yang, Tiantian
Materials Science in Semiconductor Processing 2026
球差校正扫描透射电镜证实界面原子级平整且共格，消除了界面无序引起的性能不稳定。
在10–280 K范围内保持稳定阻变，且低温下开关比和品质因数更高，可直接用于低温电子学。
机理为电场驱动氧空位从Bi-2212向界面迁移积聚，引发界面附近局域绝缘转变，不同于金属/NSTO体系的肖特基势垒调制。