压装IGBT优化封装

短路耐受翻倍

通过针对性优化封装设计,使压装IGBT模块的短路耐受能力相比传统封装提升超过一倍。

刘人宽 · 李辉 · 罗小蓉 · 姚然 · 赖伟 · 魏杰 · Xiao, Wang · Li, Zhaoji · Bo, Zhang · Xianping, Chen

IEEE Transactions on Power Electronics 2024

参数信息

短路耐受能力提升
100 %
基于
3.3 kV/50

技术优势

薄弱点可定位

建立电-热-机械多物理场瞬态有限元模型并结合短路试验,可准确识别模块在短路过程中最先失效的部位,为封装优化提供明确靶点。

可靠性不牺牲

优化后的模块不仅短路耐受能力提升,还通过了阻断电压和功率循环测试,表明封装改进没有损害器件的长期可靠性。

应用场景