红外飞秒激光硅去除

最小去除1 nm

实现红外飞秒激光对硅表面原子级精度的材料去除,为半导体超精密加工提供新的技术路径。

Wang, Jinshi

Materials Science in Semiconductor Processing 2023

参数信息

最小材料去除量
1 nm
脉冲宽度
232 fs
波长
1030 nm