全阵列布尔逻辑与加法
用碳纳米管环绕栅晶体管替代硅晶体管构建MRAM存内计算单元，写入延迟降低约21%，吞吐量比现有方案高160–250倍。
Tong, Zhongzhen · Yilin, Xu · Yunlong, Liu · Xinrui, Duan · Hao, Tang · Suteng, Zhao · Chenghang, Li · 蔺智挺 · 吴秀龙 · 王昭昊 · 林晓阳
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 2023
用GAA-CNTFET替代FinFET，写入延迟降低约21%，计算延迟降低约20.6%，在需要快速响应的存内计算任务中优势明显。
读取能耗降低约45.3%，计算能耗降低约24.7%，适合对功耗敏感的边缘计算场景。
计算结果在计算阶段即可原位存储，不需要额外的外围电路来保存数据，简化了系统设计。