Ag多孔片

1分钟键合

一种表面具有超细晶结构和驱动应力的银多孔片，无需有机溶剂，可在低温下快速实现大面积高剪切强度键合。

Chuantong, Chen · Zhang, Luobin · Huo, Fupeng · Ueshima, Minoru · Su, Yutai · 龙旭 · Nakayama, Koji S. · Nishijima, Masahiko · Miyake, Hiroaki · 李明雨 · Suganuma, Katsuaki

Journal of Materials Science and Technology 2026

参数信息

剪切强度

82.1 MPa

键合面积

30 mm × 30 mm

键合时间

3 min

界面结合率

85 %

技术优势

键合极快

多孔片表面的超细晶结构产生表面驱动应力，促进界面快速原子扩散，250°C下仅1分钟即实现82.1 MPa剪切强度。

大面键合

30 mm×30 mm大面积Cu-Cu键合在250°C、3分钟完成，界面结合率超过85%，证明其适合大面积芯片贴装。

无需溶剂

制备过程仅通过热压高密度位错银颗粒，不添加任何有机溶剂，避免了溶剂残留和排气问题。

应用场景

• SiC功率模块封装：替代传统焊料，低温快键降低热损伤。
• 高温电子器件互连：该接点高温稳定性好，适合高温服役。
• 大面积芯片贴装：3分钟完成大面积键合，界面结合率超85%。