双面冷却碳化硅功率模块

寄生电感仅1.3nH

通过交错式电源环路实现超低寄生电感,双面冷却结构兼顾散热与动态均流。

Yan, Yiyang · Liu, Baihan · Lv, Jianwei · Zexiang, Zheng · Liu, Jiaxin · 陈材 · 康勇

IEEE Transactions on Power Electronics 2024

参数信息

寄生电感
1.3 nH
寄生电感降低比例
50 %

技术优势

电感低了一个量级

交错式电源环路使电流路径相互抵消磁通,寄生电感从双回路结构的水平降至 1.3 nH。

动态均流有保障

论文分析了动态均流特性,确保并联芯片在开关瞬态下电流分配均衡,避免局部过流。

散热同样兼顾

除了电性能,论文还分析了热性能,双面冷却结构有助于将热量从两侧导出。

三并联已验证

制作并测试了基于该结构的三并联 SiC MOSFET 模块,验证了低寄生电感性能。

应用场景