可探测深紫外且响应度高
该器件采用共溅射ITZO薄膜并通过钝化层抑制近紫外响应，展现出高载流子迁移率和低阈值电压，可兼作传感与读出电路。
Delang, Lin · 周长见 · 罗东向 · Liu, Baiquan · Chen, Rongsheng
IEEE Electron Device Letters 2023
在零栅压下即可达到416 A/W的响应度，探测深紫外信号无需额外栅压驱动。
通过改性钝化层将器件对近紫外光的响应抑制，从而提高深紫外探测的准确性。
30.7 cm²V⁻¹s⁻¹的迁移率高于a-Ga₂O₃器件，使传感器能兼任信号处理，简化系统。