200 °C高储能
一种通过AlN界面功能层改性的云母基介电薄膜,在200 °C下实现高储能密度与效率,为高温电容储能提供柔性解决方案,突破了聚合物与陶瓷的固有局限。
Yin, Chao · Xuanzhi, Liu · Shiyuan, Luo · 张天栋 · Guowei, Hao · Jianzeng, Guo · Xue, Zhang · 张昌海 · Zhang Y. · 迟庆国
Chemical Engineering Journal 2025
在200 °C下达到22.1 J/cm³,超过传统聚合物介电材料。
在200 °C下效率仍达88.9%,减少能量损耗。
基于云母薄膜,可弯曲,适用于柔性电子器件。
在高场下多次充放电循环后性能无明显衰减。