锁定下噪声降22 dB
通过光注入锁定同时在基态和激发态实现超低相对强度噪声,并抑制高偏置下的线宽再展宽,可直接用于硅基光子集成。
Qi, Chu · Zhiyong, Jin · 何枫 · 姚勇 · 徐小川 · Jiawei, Wang · Duan, Jianan
IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2025
在激发态阈值处,光注入锁定使基态相对强度噪声降低22 dB,有效抑制激发态发射对基态噪声的影响。
在注入锁定区域内,基态和激发态的相对强度噪声至少降低10 dB,即使在高偏置电流下也能保持低噪声。
光注入锁定抑制了高偏置电流下观察到的光谱线宽再展宽,实现超窄线宽。