浮栅GaN双向ESD钳

双向一致更省面积

用浮栅MBS与调节电容实现GaN ESD保护，以更小芯片面积获得正反向一致的鲁棒性，且工艺与p-GaN HEMT完全兼容。

Liu, Chao · Shi, Yijun · He, Zhiyuan · Cai, Zongqi · Huang, Xu · Chen, Yiqiang · 陈万军 · 孙瑞泽 · Lu, Guoguang · 张波

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

调节电容下触发电压

约10 V

技术优势

正反向对称

论文称其正向与反向ESD鲁棒性的一致性优于基于两个p-GaN HEMT和两个调节电容的箝位电路。

面积更小

在实现类似ESD鲁棒性的情况下，该箝位电路芯片面积小于基于两个p-GaN HEMT和两个调节电容的方案。

工艺兼容

其制造工艺可与p-GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）相同，无需额外光刻步骤。

应用场景

• GaN功率器件：该钳位电路可直接集成到GaN功率器件中，提供双向ESD保护。
• 功率集成电路：其工艺与p-GaN HEMT兼容，适合嵌入功率集成电路。
• ESD保护电路：用作ESD保护时，触发电压约10 V，二次击穿电流5 A。
• 电源管理：可保护电源管理电路免受静电放电损伤，且占用面积小。