消除SAM分子聚集
用两步分子交换法调制自组装单分子层,形成高均匀性的4PADCB/4Th空穴传输层,解决SAM分子聚集引起的非辐射复合问题,适合用于高效宽带隙钙钛矿电池。
Yuteng, Jia · Chenyang, Zhang · Yuxuan, Yang · Zhang, Bingqian · Yu, Lei · Yi, Wang · Zhao, Qiangqiang · Peng, Cheng · Qiuju, Liu · Wu, Shaowen · 杨春鹏 · Ru, Li · Wang, Xiao · 张懿 · Peng, Qiu · 逄淑平
Energy and Environmental Sciences 2026
通过引入中等相互作用的2Th分子抑制4PADCB的聚集,再用4Th置换形成高均匀SAM层,解决聚集导致的非辐射复合损失。
引入的4Th分子进一步降低SAM层的HOMO能级,优化能级排列,减少界面非辐射复合。
4Th与钙钛矿配位及与下层SAM的π相互作用增强埋底界面粘附,有利于改善器件稳定性。