二维闪存器件

10 ns 超快写入

通过金属性 1T-LixMoS2 边缘接触，同时实现超快（10–100 ns）与鲁棒（耐擦写 > 10⁶ 次，保持 > 10 年）的存储操作。

於俊 · Wang, Han · Zhuge, Fuwei · Chen, Zirui · Hu, Man · 徐祥 · 何毓辉 · 马颖 · 缪向水 · 翟天佑

Nature Communications 2023

参数信息

Program erase speed

100 ns

Endurance

6 cycles

Retention

> 10 years

技术优势

摆脱速度-保持-耐擦写困境

通过相工程边缘接触设计，同时实现超快写入、高耐擦写和长保持，证明接触工程是进一步提升二维闪存性能的有效策略。

应用场景

• 高速数据存储：用于需要纳秒级写入速度的存储设备，如缓存和固态盘。
• 内存计算：高速非易失特性使其可用于存算一体架构，减少数据搬运。
• 二维器件集成：基于二维材料的范德华异质结构，可与硅基后端工艺集成。
• 边缘计算存储：低功耗高速存储适合边缘设备中实时数据处理。