非易失调控
利用铁电CIPS层实现对MoSe2/WSe2层间激子的稳健非易失调控,在磁场下保持调制特性,为量子光子存储提供新路径。
Xing, Xie · Li, Shaofei · Junying, Chen · 张宪 · 何军 · Liu, Zongwen · 王建涛 · 刘艳平
ACS Nano 2025
CIPS 铁电极化态通过可逆 Cu+ 离子位移在界面诱导持久的 P 型或 N 型掺杂,使得对激子的调控无需持续外加偏压即可保持。
所实现的激子能量、强度、线宽和谷极化调控在高磁场条件下仍能保持,说明该非易失调控具有稳健性。
基于该机制实现了可重编程的激子存储单元,具有光学可寻址的二进制逻辑态,可用于信息存储。