旋转阴极电镀槽

表面铜厚降 8 μm

用旋转阴极的流场诱导效应抑制表面铜沉积，同时改善晶圆级电镀均匀性并加速TSV填充。

Guoxian, Zeng · Chi, Zhang · Niu, Kai · 王福亮 · 何虎

Journal of Micromechanics and Microengineering 2024

参数信息

表面铜厚降幅

8 μm

技术优势

表面铜厚降约8微米

旋转阴极的流场诱导显著抑制了表面铜的过度沉积，直接减轻后续化学机械抛光负担。

实现无缺陷填充

通过引入加速剂，填充过程加快且填充比提升，最终实现TSV无缺陷填充。

改善晶圆级均匀性

旋转阴极产生的流场诱导效应使整个晶圆上的电镀厚度分布更加均匀。

应用场景

• TSV电镀：降低表面铜厚并实现无缺陷填充，提升TSV可靠性。
• 3D集成电路：为3D集成提供高质量的TSV互连基础。
• 晶圆级封装：改善晶圆级电镀均匀性，利于封装工艺。