GO/SF/GO多级阻变忆阻器

单器件双模式阻变

通过调节限制电流,同一器件可在二值与三值阻变模式之间转换,两种模式均稳定、可重复且非易失,且可模拟突触可塑性,适用于图像识别与重建。

Shubin, Liu · Cheng, Yu · Fang, Han · Fan, Suna · 张耀鹏

Chemical Engineering Journal 2023

具体参数

手写数字图像识别准确率
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技术优势

单器件双模式

通过调节限制电流,同一器件可在二值与三值阻变模式之间转换,无需更换器件或改变结构,从而简化存储系统并提高存储密度。

模式均稳定非易失

两种阻变模式均表现出稳定、可重复、非易失的特性,确保存储的数据在断电后不会丢失,适合长期存储。

识别准确率高

基于该器件构建的三值神经网络对手写数字图像的识别准确率高达92.3%,表明其在神经形态计算中的实用性。

应用场景