相变材料光残余卷积加速器

功耗降至 9.8 μW

以相变材料为基础,实现全光残余卷积,以极低功耗完成深度神经网络所需的残余结构计算。

Quan, Zhiqiang · Bing, Han · Ma, Xiaoxiao · 缪向水 · He, Qiang · 王健

Light: Science and Applications 2026

参数信息

权值更新功耗
9.8 μW
运算速度
128 GHz
相对均方根误差
0.125

技术优势

权值更新功耗极低

权值更新功耗仅 9.8 μW,比传统热光单元的约 10 mW 降低三个数量级,大幅降低片上热预算。

支持高速残差卷积

实验演示了 128 GHz 的光学残差卷积,速度远超电学架构,同时保持高卷积精度,相对均方根误差小于 0.125。

非易失全光操作

基于相变材料实现非易失性全光残差卷积,无需持续供电维持权重,且完全在光域完成运算,避免光电转换开销。

应用场景