可调P区SiC沟槽MOSFET

高频低耗抗短路

在沟槽底部引入P/N-base层形成可调P区电位，同时降低导通电阻和米勒电容，并延长短路耐受时间。

Ruizhe, Sun · 邓小川 · 理学 · 李轩 · Wu, Hao · Wen, Yi · 陈万军 · 张波

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

比导通电阻降低

23 %

技术优势

导通电阻降23%

浮空P区电位使JFET区耗尽层收缩，栅极下方电流路径拓宽，比导通电阻显著下降。

应用场景

• 电动汽车牵引逆变器：降低开关损耗，提升逆变器效率
• 光伏逆变器：高频化缩小磁性元件体积
• 高频开关电源：低米勒电容满足高频开关需求
• 可再生能源转换系统：提升转换效率与可靠性
• 工业电机驱动：高短路耐受增强驱动器鲁棒性