纯铁抛光单晶碳化硅

近无损伤

用纯铁摩擦SiC晶片，经固态反应与去除实现高效高质量抛光，表面损伤极小，有别于传统磨料抛光。

Wu, Min · 黄辉 · 吴跃勤 · Xu, Zhiteng · Tukun, Li · Iain, Macleod · Xiaolei, Wu

Tribology International 2024

参数信息

材料去除率

375 nm/min

技术优势

抛光不伤表面

通过摩擦诱导固态化学反应去除材料，而非传统磨料机械去除，因此表面粗糙度低至Ra 2.2 nm，近无损伤。

去除速率快

材料去除率达到375 nm/min，显著高于传统抛光方法。

应用场景

• 碳化硅晶片抛光：提供一种基于纯铁摩擦的高效抛光方法，替代传统磨料抛光，提升表面质量。
• 第三代半导体衬底加工：为碳化硅衬底加工提供低损伤抛光工艺，满足器件制造需求。
• 精密表面加工：通过摩擦化学反应实现近无损伤表面，适用于精密表面加工。