未掺杂应变锗量子阱

迁移率超200万

通过界面工程抑制位错，在浅埋沟道中实现超高二维空穴气迁移率，为量子计算提供低噪声平台。

Kong, Zhenzhen · Li, Zongmu · 曹刚 · Su, Jiale · Zhang, Yiwen · 刘金彪 · 刘敬崇 · Ren, Yuhui · Huihui, Li · Wei, Laiming · Guo, Pingguo · 李峻峰 · Wu, Zhenhua · 李海欧 · 叶甜春 · Wang, Guilei

ACS Applied Materials & Interfaces 2023

参数信息

二维空穴气迁移率
2 × 10⁶ cm²/(V·s)
渗流密度
5.689 ×10¹⁰ cm⁻²

技术优势

位错被挡住

渐变Ge组分形成陡峭界面，抑制穿透位错进入量子阱。

迁移率破两百万

浅埋沟道中的二维空穴气迁移率超过2×10⁶ cm²/(V·s)，达到锗基体系最高水平之一。

渗流密度极低

渗流密度为5.689×10¹⁰ cm⁻²，意味着低无序，利于观察分数量子霍尔效应。

量子计算平台

高迁移率与低噪声特性有利于长相干时间和快速全电操控的量子比特集成。

应用场景