双置换Cu₃SbSe₄热电材料

zT优值达0.86

通过S取代Se拓宽带隙抑制双极效应,Fe掺杂Sb位增大态密度,协同提升Seebeck系数并降低晶格热导率。

Zhao, Lijun · Haolin, Ye · Xinmeng, Wu · 杨建 · Yü, Lihua · 史忠旗 · Hussain, Shahid · 乔冠军 · 许俊华 · Ge, Bangzhi · Li, Wang · Zhou, Chongjian

Journal of Materiomics 2023

具体参数

热电优值zT
{'zh': '0.86', 'en': '0.86'}
Seebeck系数
{'zh': '560', 'en': '560'} μV/K
晶格热导率
{'zh': '0.48', 'en': '0.48'} W·m⁻¹·K⁻¹

技术优势

带隙拓宽抑制双极效应

S取代Se原子使带隙变宽,减轻了高温下的双极效应,使Seebeck系数在高温下保持较高。

Fe掺杂增大大态密度

Fe在Sb位掺杂显著增大了态密度,提高载流子有效质量,在300 K获得约560 μV/K的高Seebeck系数。

分级架构降低晶格热导率

诱导产生的分级架构缺陷使晶格热导率在673 K降至约0.48 W·m⁻¹·K⁻¹的最小值。

应用场景