通过HTRB应力降解机理研究，为GaN微波器件设计提供指导。
Chen, Yiqiang · Lu, Meng · Liu, Chang · 廖敏
IEEE Transactions on Electron Devices 2024
按应力时间区分三种主导机制：初期受主陷阱电离增加净负电荷，中期栅下介质层消耗、界面态密度减小，后期陷阱密度增加且隧穿机制改变，为可靠性设计提供依据。
长期应力下栅下介质层被消耗，导致界面态密度下降，这一发现可指导器件栅极结构及介质材料的优化。
应力时间进一步增加时，隧穿机制改变并影响器件特性，表明后期退化与泄漏路径演变相关。