zT 0.7 热电优值
通过熵工程实现层状半导体中电子与热输运的解耦，在保持低晶格热导率的同时优化电学性能。
陈洪祥 · Shiyu, Li · Wen, Xiaochun · Jing, Zhang · Bing, Xiao · Su, Yunfeng · 樊恒中 · 张永胜
Acta Materialia 2026
在723 K时，高熵痕量插层样品的热电优值达到约0.7，远高于本征TiS₂通常低于0.5的水平，表明热电性能显著提升。
高熵插层引入显著的晶格无序和非谐性，使晶格热导率降至最低，同时避免了高插层浓度通常带来的晶格热导率回升。
插层与导电层之间的有利电荷转移以及熵驱动的能带重整化提升了电输运性能，使功率因子升高。